中国举国之力发展芯片技术，你觉得未来5年内会有大的飞跃吗？
感谢题主的这个颇有思考意义的话题，下面来补充一下个人看法~概况：半导体产业国产化已经冲刺多年。半导体产业来说，咱技术经验落后、资金投入不够、市场规模差距大要坦诚。不过咱们不是一片空白。从上游材料设备到中游设计制造，再到下游封测，我国半导体产业链各个环节的国产化发展和竞争也异常激烈。事实上，半导体产业国产化的历程已经冲刺多年。
光刻机、蚀刻机、芯片设计、芯片制造等各方面都在努力攻坚，取得了突破性进展，有的已经打破国外垄断。光刻机领域上海微电子一马当先，刻蚀机领域中微半导体、北方华创双双出击、紫光集团存储芯突破……
中兴被禁后“中国芯”迎来什么重大突破？
月19日，长江存储终于盼来了自己的首台光刻机。当天中午，这台价值7200万美元、比黄金还金贵的设备，运抵了武汉天河机场。这台来自全球最大的芯片设备制造商——荷兰阿斯麦公司（ASML）的大家伙的到来，被外界看做中国芯片技术的重要突破。
好消息不止一个。就在几天前，据媒体15日援引消息人士的话称，中国芯片加工企业中芯国际（SMIC）也与同一家企业——荷兰阿斯麦公司订购了其首台最先进的EUV（极紫外线）光刻机，价值1.2亿美元。消息称，这台几乎相当于中芯国际去年全部净利润的设备，将于2019年初交付。
5月22日报道称，光刻机（又称曝光机）是生产大规模集成电路的核心设备，其作用是扫描曝光芯片晶圆，刻蚀集成电路。制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握。因此光刻机的价格昂贵，通常在3000万至5亿美元不等。目前，虽然尼康、佳能等对手都在勉力竞争，但是自飞利浦独立的阿斯麦公司掌握了90%以上的高端光刻机市场份额。精度愈高的光刻机，能生产出纳米尺寸愈小、功能更强大的芯片。
俄罗斯能在2028年生产7纳米芯片的光刻机吗?
俄罗斯宣布研发光刻机，挑战半导体行业格局
俄罗斯工业和贸易部副*Vasily Shpak透露，俄罗斯已着手研发光刻机，预计在2024年将生产350nm光刻机，紧接着在2026年将推出用于130nm制程芯片生产的设备，旨在打破日本尼康和荷兰ASML的垄断局面（strong>全球仅此两家生产此类设备）。
尽管目前俄罗斯已掌握65nm技术，但由于外国设备出口*，正急于自主研发。圣彼得堡理工大学的研究人员已经开发出“国产光刻复合体”，有望解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题，其中成本相对较低的设备已进入实际应用（成本约36.3万元人民币）。
研发人员介绍，这套系统使用无掩模芯片技术，由自动化软件控制，不仅能形成纳米结构，还可用于舰载传感器等应用。俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构更是雄心勃勃，声称俄罗斯科学院应用物理研究所将在2028年开发出生产7纳米芯片的光刻机，挑战ASML的领先地位（挑战ASML同类产品）。
高端光刻机为什么难“买”又难“造”？
我们国内确实是既难买又难造高端的光刻机，包括7纳米的和5纳米的，当前就是在这最后的一个端上陷入了现实的两难处境，短期内不可能脱离，是个长期性的现实。
只要成功研发出了高端的制造技术，难造就会变成易造了；只要即将成功制造出高端的光刻机产品，难买就会变成易买了。处境变成两易的了！而到了两易的时候，只要不受国内已经易买国外高端产品这个“外部干扰”，坚持不懈地自主制造即将成功的高端光刻机，直至下线、量产、上市，就完全彻底脱离出两难处境了，再买高端的，多了一个好的选择，头一回能来个货比两家，关键是个更好的选择，因为是本国自主可控的；再造更高端的，有了一个高的基础，关键在于更高端的不过是同一端上的，即便是顶级的。这就是造与买的关系在我们中国的样子，连造与买低端和中端光刻机的关系也是这个样，与在美国及其盟国盟友那里的大不相同，已经被 历史 上的正和反事实反反复复地证明了。
中国研制出世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机，这在世界上属于什么水平？
光刻机是集成电路产业的一颗最璀璨的明珠，闪烁着高难问的光辉，如同航空产业的发动机一样，由于技术门槛非常之高，一般人拱不动的，日本由于收购德国亚深，掌握了深紫外光源技术和物镜技术，其尼康和佳能也能做22纳的水平，
这些年还是发了些财的，所以每谈及日本芯片，总有人投去羡慕的目光。我们收不动，大约也只能自家研发，透过新闻报道，我们可以看到，我们走了一条不同的路，取得了更高的精度，有称世界首台用紫外光源实现22纳的EUV，采取多次曝光技术可以实现10纳，我们不吹，10纳以下是一个级别，所以7纳亦可有望实现之。至少打破了禁运规则，他们再想赚钱，不得不重新审定，只是手里还有吗？由此看来，人家比咱们有些人要明白，能赚则赚，这回中国先，要来几台？所以新闻说，可以达到一致的水平。年初要制裁，年底被打脸，这一掌掴出了深紫之血。
俄罗斯能在2028年生产7纳米芯片的光刻机吗？
俄罗斯宣布研发光刻机，挑战半导体行业格局
俄罗斯工业和贸易部副部长Vasily Shpak透露，俄罗斯已着手研发光刻机，预计在2024年将生产350nm光刻机，紧接着在2026年将推出用于130nm制程芯片生产的设备，旨在打破日本尼康和荷兰ASML的垄断局面（strong>全球仅此两家生产此类设备）。
尽管目前俄罗斯已掌握65nm技术，但由于外国设备出口限制，正急于自主研发。圣彼得堡理工大学的研究人员已经开发出“国产光刻复合体”，有望解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题，其中成本相对较低的设备已进入实际应用（成本约36.3万元人民币）。
研发人员介绍，这套系统使用无掩模芯片技术，由自动化软件控制，不仅能形成纳米结构，还可用于舰载传感器等应用。俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构更是雄心勃勃，声称俄罗斯科学院应用物理研究所将在2028年开发出生产7纳米芯片的光刻机，挑战ASML的领先地位（挑战ASML同类产品）。
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